Allegro MicroSystems ha presentato i nuovi sensori di corrente ACS37030 e ACS37032 ad elevata larghezza di banda, che facilitano la realizzazione di circuiti di conversione di potenza ad alte prestazioni con transistor in GaN (nitruro di gallio) e SiC (carburo di silicio) destinati a veicoli elettrici, soluzioni per le energie rinnovabili e data center.
Le infrastrutture di ricarica e di alimentazione basate su transistor FET in GaN e SiC ad alta densità di potenza richiedono l'impiego di dispositivi ad alta velocità e a bassa perdita per riuscire a garantire efficienza e affidabilità, ma le attuali soluzioni per la misura della corrente offrono intervalli operativi limitati, oltre ad essere caratterizzate da dimensioni e peso extra, oltre a richiedere l’utilizzo di componenti aggiuntivi.
Per superare queste criticità, Allegro ha introdotto due sensori di corrente a larghezza di banda elevata, ACS37030 e ACS37032, progettati per garantire la massima efficienza e le migliori prestazioni riducendo il tempo di progettazione e lo spazio occupato sulla scheda.
Questi sensori utilizzano un sistema a doppio percorso di segnale, con un percorso che misura la componente continua e a bassa frequenza della corrente utilizzando elementi a effetto Hall, mentre l’altro misura le componenti ad alta frequenza della corrente attraverso una bobina induttiva.
Il design compatto, i miglioramenti dell'efficienza e i costi ridotti dei più recenti sensori di corrente di Allegro li rendono adatti alla commutazione ad alta frequenza nei sistemi elettronici di potenza, offrendo i seguenti vantaggi:
Il dispositivo ACS37030/2 è un sensore completo in grado di fornire una risposta rapida per la protezione dei transistor ad alta velocità in SiC e GaN, fornendo al contempo contenuti a bassa frequenza per il controllo della conversione di potenza", ha dichiarato Matt Hein, Product Line Manager responsabile dei sensori di corrente di Allegro. "I progettisti sono così in grado di ridurre al minimo l'ingombro del sistema di conversione quando utilizzano i semiconduttori di nuova generazione in GaN e SiC".