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Tester per la caratterizzazione dinamica dei dispositivi di potenza Kesyight PD1500AKeysight Technologies ha realizzato una nuova soluzione dedicata alla caratterizzazione dinamica dei semiconduttori di potenza ad elevata banda proibita (WBG, wide-bandgap) con il metodo del doppio impulso.

Le nuove tipologia di transistor realizzate con semiconduttori innovativi, come il carburo di silicio (SiC) o il nitruro di gallio (GaN), sono attualmente molto richiesti per realizzare sistemi di potenza destinati all'industria automobilistica e delle energie alternative.

Visti i livelli di tensione e corrente notevolmente più alti in gioco, anche i sistemi di test usati per la loro caratterizzazione sono più complessi e critici da realizzare, affinché si possa garantire l'affidabilità delle misure e la sicurezza degli operatori.

Forme d'onda tipiche del metodo di test a doppio impulsoGli analizzatori di dispositivi di potenza B1505A e B1506A di Keysight già supportavano la caratterizzazione statica di questa nuova tipologia di semiconduttori ed ora, con l'introduzione del nuovo tester PD1500A, la multinazionale americana offre soluzione per effettuarne anche la caratterizzazione dinamica secondo le specifiche JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) utilizzando il metodo del doppio impulso.

Tramite il metodo del doppio impulso tipicamente si misura quanto velocemente i dispositivi di potenza commutano, da cui si ricavano i parametri caratteristici utili ai progettisti per progettare sistemi di conversione di potenza che possano garantire la massima efficienza energetica

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La soluzione Keysight PD1500A è stata progettata per essere modulare e permettere la caratterizzazione accurata di vari tipi di dispositivi di potenza, a vari livello di potenza di lavoro.

La prima versione del sistema perfette di effettuare caratterizzazioni complete con il metodo del doppio impulso per estrarre i parametri caratteristici dei dispositivi in esame, tipicamente transistor di potenza in silicio e carburo di silicio con tensioni e correnti nominali rispettivamente fino a 1,2 kV e 200 A.

Successivamente verranno resi disponibili per effettuare test su dispositivi che possono lavorare con correnti ancora più intense, come ad esempio transistori in nitruro di gallio o moduli di potenza.

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